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一、 儀器概述 (Equipment Overview) 本系統為配備精密氣體流量控制與排氣配置之 1500℃ 高溫化學氣相沉積（CVD）/ 氣相傳輸（Vapor Transport）製程系統，主要用於合成高品質之一維寬能隙半導體奈米結構。系統核心由高穩定度加熱爐體、微電腦程序溫度控制器（型號：SJ-C01）、四路質子流量控制器（MFC × 4）以及耐高溫/防腐蝕之排氣配置整合而成，能提供高溫、高真空度（或特定氣壓）及精準氣氛控制的反應環境。 二、 主要核心規格 (Key Specifications) 高溫反應爐 (Furnace)： 最高操作溫度： 1500℃（適合需高溫熱裂解或高昇華點之製程）。 加熱元件： 高規格加熱元件，具備優異的高溫穩定性與長效壽命。 控溫系統 (Temperature Control)： 功能： 支援多段程式升降溫曲線設定 氣流控制系統 (Gas Delivery System)： 配置： 4 路獨立質子流量控制器（MFC × 4）。 功能： 可同時引入四種不同之載流氣體與反應源氣體（如 N₂, Ar, H₂, NH₃ 等），提供多元化的氣氛調配能力。 三、 主要研發應用 (Primary Research Applications) 本系統之高溫段與多路進氣優勢，特別適用於三族氮化物（Group III-Nitrides）及各類一維異質奈米結構的成長： 氮化鋁（AlN）奈米線成長： 利用 1500℃ 的極高溫發揮基板或前驅物（如 Al 粉末與 NH₃ 或 N₂）的高溫熱裂解反應，克服 AlN 高晶格能（Lattice Energy）的限制，合成出高結晶品質、高熱導率及深紫外光（DUV）應用潛力的 AlN 奈米線。 氮化鎵（GaN）奈米線成長： 於適當製程溫度下，透過 VLS（氣-液-固）或 VS（氣-固）機制，精準調控 Ga 源與氮源的莫耳比（V/III ratio），成長高長徑比、低缺陷密度的 GaN 奈米結構。 雙層/異質核殼（Core-Shell）奈米線與異質接面合成： 利用 4 路 MFC 的快速切換與精準流量調控能力，可在單次製程中連續切換不同的反應氣氛（如先成長核心再包覆外殼），精準構築 AlN/GaN 或 GaN/AlN 雙層奈米線（Heterostructure Nanowires），用以研究載子分離模型、二維電子氣（2DEG）以及高效能光電元件。
本設備為桌上型高溫爐，採用微電腦 PID 溫度控制系統，提供精確的升溫曲線與高溫熱處理環境。爐體內部具備優異的保溫蓄熱結構，適用於材料燒結、灰化、退火及各式高溫固相反應實驗。 主要規格與應用 控溫系統：數位雙字幕顯示控制器，支援精準控溫與持溫設定。 核心應用： 材料熱處理、退火（Annealing）與燒結（Sintering）。 有機物高溫灰化與固體殘渣分析。 奈米材料高溫製程。 操作規範 安全防護：操作時必須全程配戴耐高溫手套與護目鏡，並使用坩堝鉗取放樣品，嚴禁徒手接近爐口。 通風要求：若製程樣品會產生煙霧或揮發性氣體，請務必於具備排風設備之區域操作。 設備保護：高溫狀態下切勿無故劇烈開關爐門，以免內部耐火材料因急冷急熱而龜裂損壞。
利用電子束來執行蒸鍍源的加熱。利用高壓電使鎢絲線圈產生電子後，利用加速電極將電子引出，再透過偏向磁鐵(Bending magnet)，將電子束彎曲270∘，引導打到坩堝內的金屬源上，使其金屬靶材局部熔融。在高真空下(4×10-6 Torr)金屬源之熔點與沸點接近，容易使其蒸發，而產生金屬的蒸氣流，遇到晶片時即沉積在上面。透過加速電壓的功率調整，即可調整加熱的溫度，使其可控制薄膜沉積的速率。 蒸鍍系統優點 可大面積成長薄膜，且腔體多設計為可容納多片基板，故具有高度的產出效率。透過石英震盪片(Quartz crystal)可精準的監控薄膜沉積厚度與鍍率，也可於設備中裝入多個坩堝，可於不破真空下連續成長多層金屬薄膜。系統設計簡單，容易維護，是產業界成長光學薄膜、透明導電膜等生產使用。 蒸鍍技術運用 光學薄膜（眼鏡與鏡片的反射防止膜、特殊鏡子等）、構成顯示器的電極・半導體膜・絕緣膜等（電漿電視與有機EL、液晶顯示器）・電子零件(電容、半導體集積迴路等）、食品包裝材料（裝餅乾糖果用的袋子有的蒸鍍上一層鋁膜）。
儀器簡介：S-PL 簡易型光致/電致發光（PL/EL）光譜分析系統 本系統為一套兼具光致發光（Photoluminescence, PL）與電致發光（Electroluminescence, EL）之多功能微型光譜量測平台。採用 Czerny-Turner 光學結構的微型光譜儀作為分光與偵測核心，搭配多波段高穩定度 LED 激發光源與高效率光纖收集架構，專為半導體材料、發光元件及螢光材料之光電特性分析所設計。 核心功能與系統特點 PL/EL 雙模量測擴充性：除標準 PL 量測外，系統可結合外部電性量測平台（如源表或探針台），進行 EL 激發光譜即時分析。 多波段激發光源配置：提供從近紫外（UV）至紅光的四波段激發源，滿足不同能隙材料之激發需求： UV LED：365–395 nm (10W) 藍光 LED：460–470 nm (3W) 綠光 LED：510–530 nm (3W) 紅光 LED：620–630 nm (3W) 光學過濾與高效光路：配置 400 nm 邊緣濾光片（Edge Filter），能有效濾除 UV 激發光之雜散背光，確保 PL 訊號之清晰度；搭配 SMA905 介面一對二 Y 型多模光纖（1m）與 3 組集光器，實現高彈性的光路收集與對位。 高穩定抑震載台：整套系統架設於 350 × 500 × 50 mm 蜂窩芯夾層光學吸震麵包板（Honeycomb Breadboard）上，有效隔離環境震動，確保光學對位與量測數據之重複性。
一、 儀器簡介 LC-LX-H165A 屬於桌上型微量高速離心機，主要用於生物樣品（如 DNA/RNA 萃取、蛋白質沉澱、細胞碎片分離及 PCR 產物回收）的沉降與分離。機身配備 LCD 操作面板與微電腦控制系統，提供設定轉速（rpm）、相對離心力（xg）及運轉時間的切換顯示。 二、 規格與性能參數 最高轉速：16,500 rpm 最大離心力 (RCF)：約 18,780 ×g（視所選用的角轉子而定） 常用容量：支援 1.5 ml / 2.0 ml 微量離心管轉子，或 PCR 8 連管轉子 驅動系統：無碳刷變頻馬達，運轉音量通常維持在 65 dB 以下 安全機制：具備電子門鎖（運轉中無法開啟）、機身過速與不平衡偵測保護 三、 標準操作流程 (SOP) 開機準備：開啟電源，確認離心腔內清潔無異物。 樣品對稱配平（關鍵）：所有離心管的重量與液體體積必須精確對稱平衡。將配平後的離心管對稱放入轉子孔位中。 鎖緊轉子蓋：將轉子蓋鎖緊，蓋上離心機上蓋並確認電子門鎖已閉鎖。 設定參數：按下面板按鈕，選擇並設定所需的轉速（或 RCF）及離心時間。 啟動運轉：按下 Start 開始離心，觀察前 10 秒機器是否有異常震動或異音。 取樣與關機：運轉結束且轉子完全停止後，門鎖自動解除，取出樣品並清理離心腔水分，維持乾燥後關閉電源。 四、 實驗室使用與安全注意事項 嚴禁不平衡運轉：若孔位未對稱放滿或重量不均，易造成轉軸磨損甚至引發安全事故。 液體洩漏處理：若離心管破裂或液體溢出，應立即停止使用，並用 75% 酒精徹底清潔轉子與離心腔。 定期維護：轉子使用後應維持乾燥，避免酸鹼液體殘留導致金屬腐蝕。
一、 儀器概述 (Equipment Overview) 本系統為專為微米與奈米級半導體元件設計之高精度電性分析平台，主要用於量測元件之電流-電壓（I-V）與電流-時間（I-t）等靜態與動態電性特徵。系統架構於高剛性、高吸震能力之蜂巢狀夾層光學吸震麵包板上，配置微米級高精密探針微步調整座與精密同軸線纜接口，能有效屏蔽外部震動與電磁雜訊，提供從飛安（fA）級弱電流漏電分析至安培（A）級大電流元件特性量測之全方位解決方案。 二、 主要核心規格 (Key Specifications) 光學吸震麵包板： 規格： 450 × 600 × 50 mm 功能： 採用蜂巢狀夾層結構設計，具備優異的剛性與減震性能，能有效隔離環境高低頻震動，確保微奈米級點測之穩定性。 龍門架與微調結構： 規格： 300 × 150 × 190 mm 功能： 主體採用 7075 航空鋁合金打造，具備極高硬度與低熱膨脹係數。龍門架結構穩固，提供精準的跨越式點測空間。 探針調整座： 配置： 高精度探針微步調整座 × 2 功能： 調節精度達 5 µm，支援萬向夾具與探針銅柱，可實現微米級元件電極的精準對位與微調。 量測範圍與信號傳輸： 電流量測範疇： 10 pA / 1000 fA ～ 10 A 功能： 配備專用同軸線纜（Coaxial Cables）及高屏蔽接口，能有效降低背景電磁干擾，確保弱電流信號之傳輸完整性。 三、 主要研發應用 (Primary Research Applications) 本平台之微電流解析度與高剛性抗震設計，特別適用於一維奈米線元件、二維材料異質結構及各類微納光電元件之電學表徵分析： 1. 寬能隙半導體（AlN / GaN）本徵電性分析： 藉由低至 1000 fA 的極限電流偵測能力，精確量測未摻雜或高缺陷密度之寬能隙材料的微弱暗電流（Dark Current）與漏電流（Leakage Current），用以評估材料之晶體品質。 2. 一維異質接面與雙層奈米線電學特徵： 針對 AlN/GaN 等雙層或核殼奈米線製備之二極體或場效電晶體（FET），精準量測其整流特性、蕭特基障壁（Schottky Barrier）高度、閾值電壓（Threshold Voltage）以及載子傳輸機制。 3. 光電響應與動態量測（I-t）： 配合外部光源（如紫外光），進行電流-時間（I-t）動態點測，精確表徵光電探測器（Photodetector）之響應時間（Rising/Falling Time）、光增益及光電轉換效率。
專為實驗室設計的高效能「微波合成反應器」。它最大的核心價值，是將傳統加熱需要數小時甚至數天的化學反應，大幅縮短至幾分鐘內完成。 透過單模聚焦微波與 850W 連續功率，它能提供極高的加熱速度與均勻度，並支援高達 260°C 的溫度與 20 bar 的壓力環境。結合紅外線與光纖雙重控溫技術，能精確掌握反應狀況。非常適合用於奈米材料製備、有機醫藥合成及學術研究中的方法開發與條件最佳化。 最大反應容積： * 10 mL 樣本瓶可裝填 6 mL 30 mL 樣本瓶可裝填 20 mL 4 mL 樣本瓶可裝填 2 mL 最大操作壓力： 20 bar (290 psi)（可升級） 最大最高紅外線反應溫度： 260 °C（可升級） 最大光纖溫度： 260 °C（可升級） 最大功率： 850 W 樣品瓶材料： 硼矽酸鹽玻璃、碳化矽 反應蓋材料： PEEK 攝影機： 升級後可選配 自動進樣器 MAS24： 升級後可選配 密封材料： 塗有聚四氟乙烯的矽樹脂 典型應用： 方法開發、最佳化、基礎學術及工業研究
一、 系統概述 Labsphere LMS-100 是一款工業級的積分球光譜量測系統(Integrating Sphere Spectroradiometer System),專 為 LED、固態照明(SSL)及各式光源的精準光學特性分析而設計。該系統結合了高反射率的積分球技術與高 解析度的陣列式光譜儀,能在數毫秒內完成全光譜(UV-Vis-NIR)的數據採集,提供符合國際標準(如 CIE、 IESNA)的高精度量測結果。 二、 核心架構與技術特點 1. 高反射率 Spectraflect 塗層積分球 材料技術:內部採用 Labsphere 專利的 Spectraflect® 塗層,在可見光波段具有極高的漫反射率(大於 97%),確保球體內部具備優異的均勻擴散效果。 溫控與多功能設計:通常配備輔助燈(Auxiliary Lamp)用以修正自我吸收(Self-absorption)誤差,並可依 需求選配溫控治具以符合 LM-80 等 LED 壽命測試標準。 2. CDS 系列高精度陣列光譜儀 快速感測:搭載 CCD 或 CMOS 陣列探測器,實現瞬時光譜量測,避免傳統掃描式光譜儀因光源波動產生的 誤差。 低雜散光:優化的光路設計,有效抑制雜散光(Stray Light),提升紫外與紅外邊緣波段的量測準確度。 3. 專業分析軟體(MtrX-Spec / Integral) 自動化控制:支援光譜儀積分時間、校正參數與輔助燈修正的自動化流程。 數據導出:一鍵生成標準量測報告,支援 IES、Excel 等多種格式。 三、 應用領域 LED 封裝與模組研發:單顆晶片、SMD LED 及 COB 模組的光電特性分析。 照明產線品管(QC/QA):固態照明(SSL)燈具、背光模組的快速抽檢與分級(Binning)。 學術研究與認證實驗室:研發新興發光材料(如量子點、Perovskite LED)及建立標準光度計量。
一、 系統概述 T該系統利用紅外光照射樣品，激發分子內部的化學鍵產生振動或轉動吸收，並透過邁克生干涉儀（Michelson Interferometer）採集干涉圖，再經由傅立葉轉換得到高解析度的紅外線吸收光譜。 此儀器主要用於定性分析分子結構、鑑定官能基，以及對特定成分進行定量分析。 二、 應用領域 材料與化學研究：聚合物/塑膠成分鑑定、高分子共混物相容性分析、有機合成產物官能基確認。 半導體與光電產業：矽晶圓中微量碳、氧含量分析（符合 ASTM 標準），以及薄膜厚度與成分檢測。 環境與藥物分析：藥品主成分（API）與賦形劑定性、食品與包裝材料安全檢測、未知污染物或毒物鑑識。
一、 系統概述 Hot Disk TPS 500S 是一款基於熱盤法（Transient Plane Source, TPS）技術的精密熱傳導係數分析儀。該系統專為快速、非破壞性地量測各類材料的熱物性參數而設計，適用於固體、粉末、液體、膏體以及各向異性材料。其核心測試原理符合 ISO 22007-2 國際標準，能在數秒至數分鐘內同時量測出材料的熱傳導率（導熱係數）、熱擴散率以及單位體積熱容。 二、 應用領域 新材料研發：導熱塑料、散熱高分子複合材料、電子封裝材料（如 TIM 導熱介面材料）的性能評估。 節能與建材開發：保溫隔熱材料、相變材料（PCM）及綠建築材料的熱流特性分析。 航空航太與汽車工業：高溫結構材料、複合材料的熱管理性能檢測。 學術實驗室教學與品管：材料科學、機械工程、物理系所的日常樣品篩選與標準熱特性建
一、 系統概述 M2-300 是一款專為高精度、大尺寸列印需求設計的工業級 FDM（熔融堆疊成型，Fused Deposition Modeling）3D 列印機。該設備採用封閉式恆溫機體架構與高剛性機構設計，能有效減緩大尺寸物件列印時的熱應力變形與翹曲問題。其穩定的材料擠出系統與精密的定位控制，適用於工業原型製作、工程樣品打樣、夾治具生產以及教學科研等多種應用場景。 二、 應用領域 工業設計與打樣：機械外殼、電子產品外觀、結構件的快速原型（Prototype）製作與視覺驗證。 夾治具與輔助工具：產線自動化機台定位塊、檢測夾具、客製化零件的低成本少量製造。 學術研究與工程教育：大專院校機械、設計、材料系所的專題實作，發揮創客（Maker）精神與數位製造教學。
一、 系統概述 旋轉塗佈儀是一款用於在平整基材上製備均勻薄膜的精密實驗室設備。該設備利用高速旋轉產生的離心力，將滴加在基材中央的液態材料（如光阻劑、高分子溶液、溶膠凝膠或量子點溶液）均勻擴散至整個表面。隨著溶劑的揮發，最終在基材上形成奈米至微米級別的高精度均勻薄膜 二、 應用領域 半導體與微電子製程：黃光微影（Photolithography）製程中的光阻劑（Photoresist）塗佈、電子束光阻塗佈。 新興光電與能源元件：有機太陽能電池（OPV）、鈣鈦礦太陽能電池（Perovskite Solar Cells）的吸光層與傳輸層製備、有機發光二極體（OLED）薄膜開發。 前沿材料研究：量子點（Quantum Dots）薄膜、自組裝單分子層（SAMs）、二維材料後處理及二維異質接面（Heterojunction）的溶液法製備。 生物晶片開發：生物感測器基底上的高分子保護膜、親疏水性表面改質層塗佈。
【功能】 多元樣品相容： 可直接檢查導電、非導電及各類斷裂面樣品。 高效影像量測： 支援全景影像擷取，每張影像可進行 1 到 1000 次高密度量測。 自動分析軟體： 內建自動纖維厚度分析、自動孔隙量測與統計數據功能。 3D 表面輪廓量測： 支援 2D/3D 影像擷取（附高度圖），可自動量測 Ra 與 Rz 表面粗糙度並繪製物件輪廓。 進階影像處理： 內建多種濾波器，可直接於系統內進行影像優化。 極速成像體驗： 獨家技術讓樣品從置入到成像，全程僅需 30 秒內完成。 【技術規格】 品牌 / 型號： PHENOM / G2 PRO 解析度： 小於或等於 25 nm 加速電壓： 5 kV / 10 kV / 15 kV 電子源： CeB6 (六硼化鈰燈絲)，壽命約 1500 小時 偵測器： 高靈敏度背向散射電子偵測器 (BSE)，支援成分模式與形貌模式 載台系統： 電動化馬達驅動樣品載台 (Motorized Stage) 樣品載入時間： 小於 30 秒 【主要應用領域】 材料與奈米技術： 微纖維與奈米纖維尺寸量測、新材料表面形貌觀察。 工業品管 (QC)： 零件斷口失效分析、表面粗糙度與微觀輪廓檢測。
Agar Auto Sputter Coater 是一款專為電子顯微鏡（SEM）樣品製備設計的高效率自動濺鍍機。在精密控制的真空環境下，此設備能將金（Au）、鉑（Pt）等貴金屬精準、均勻地沉積於樣品表面，為非導電性或導電不良的標本建構極薄且連續的導電層，是高解析度顯微成像不可或缺的前處理利器。 核心應用 SEM 樣品前處理： 消除非導電樣品在電子束轟擊下的電荷累積效應（Charging effect）。 影像對比提升： 顯著增強二次電子發射率，獲取高清晰度、高對比度的表面形貌圖像。 熱敏感樣品保護： 穩定的低溫等離子體放電技術，避免細微結構因受熱而變形。
本系統整合了共焦光學顯微鏡、拉曼光譜 (Raman) 與光激發螢光 (Photoluminescence, PL) 三大核心技術，建構出具備高空間解析度的微區原位 (In-situ) 光電特性分析平台。本系統配置深紫外光 (266 nm)、綠光 (532 nm) 與近紅外光 (785 nm) 三波長激發雷射光源，其主要用途如下： 1. 微觀結構與晶相鑑定 (Raman Analysis)： 利用拉曼散射光譜，在微米等級的空間解析度下，非破壞性地鑑定材料的晶相結構、化學鍵結、晶體取向及缺陷密度。可透過特徵峰的位移，精準量測微納米元件在製程後所產生的內部微觀應力。 (搭配 532 nm 與 785 nm 雷射可涵蓋多數無機/有機材料與二維材料之拉曼量測；266 nm 雷射則可用於寬能隙材料如氮化鋁 (AlN)、氮化鎵 (GaN) 之共振拉曼光譜分析。) 2. 光電特性與能隙分析 (PL Characterization)： 利用光激發螢光光譜，直接探測半導體與新型光電材料的能帶結構 (Bandgap)、激子行為、發光效率及載子復合機制，並用以分析材料內部的雜質能階與深層缺陷。 (利用 266 nm 深紫外雷射可激發寬能隙半導體材料，量測其紫外光區的發光特性；532 nm 與 785 nm 雷射則適用於可見光至近紅外光波段之量子點、異質接面與薄膜元件之光電特性評估。)